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Descripción

SSD-C900N512G

Unidad de estado sólido NVMe M.2 PCIe Gen3x4

> Soporta protocolo PCIe3.0x4 y NVMe 1.3.
> Admite LDPC ECC para mejorar la confiabilidad de los datos.
> Ver información a través de SMART
> Adopta un chip de nivel de oblea 3D NAND de alta calidad y con tecnología 4K LDPC, el ciclo de borrado de programas se mejora efectivamente para extender el tiempo de servicio.
> Admite TRIM para mejorar el rendimiento y la velocidad de lectura/escritura.
> Gestión de bajo consumo de energía.
 
Especificaciones

Modelo del Producto

DHI-SSD-C900N512G

 

 

Capacidad 1

512GB

 

 

 

Factor de forma

M.2 2280

Puerto

PCIe Gen 3.0 × 4

Peso neto

máx. 8 g (0,02 libras)

Dimensiones del producto

80,00 mm × 22,00 mm × 2,25 mm (3,15" × 0,87" × 0,09")

Dimensiones del embalaje

140,5 mm × 105,5 mm × 15,50 mm (5,53" × 4,15" × 0,61")

Componente de memoria

NAND 3D

Consumo de energía 2

3521 mW (máx.)

1188 mW (inactivo)


 


 


 

ELEGANTE

RECORTAR

Recolección de basura

Lectura secuencial 2

Hasta 2000 MB/s

 

 

 

Escritura secuencial 2

Hasta 1450 MB/s

 

 

 

Lectura aleatoria 4K 2

Hasta 150.000

 

 

 

Escritura aleatoria 4K 2

Hasta 200.000

 

 

 

MTBF

1.500.000 horas

Temperatura de funcionamiento

0 °C a +70 °C (+32 °F a +158 °F)

Temperatura de almacenamiento

–40 °C a +85 °C (–40 °F a +185 °F)

Humedad de funcionamiento

5%–95% (sin condensación)

Resistencia de vibracion

10-200 Hz, 0,5G

Resistencia a los golpes

1500G y 0,5 ms (media onda sinusoidal)

TBW

256TB

 

 

 

Garantía 3

garantía limitada de 3 años

Informacion de referencia

1.Cálculo de capacidad: 1 GB = 1 billón de bytes (IDEMA). La capacidad real disponible puede verse reducida (debido al formateo, la partición, las aplicaciones del sistema operativo u otro uso necesario).

2. Configuración del sistema de prueba de rendimiento: Chip-AMD Ryzen 5 5600X Procesador de 6 núcleos a 3,70 GHz, 8G-DDR4, sistema operativo-Windows 10 x64, herramienta de prueba-CrystalDiskMark 6.0.0 x64.

3. Período de garantía o cantidad máxima de escritura (TBW), lo que ocurra primero.

4. Se ha habilitado la memoria caché SLC de alto rendimiento.

5.*Los datos de velocidad provienen de Zhejiang Huayixin Technology Co., Ltd Lab. El rendimiento real puede diferir según el dispositivo con el que se utilice.